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稀土元素掺杂氮化镓(GaN)的功能与研讨停顿



运动所在:校本部东区7号楼510集会室

运动日期:2019-10-10 09:30:00

标题:稀土元素掺杂氮化镓(GaN)的功能与研讨停顿(Structural and optical properties of rare earth doped GaN)

所在:校本部东区7号楼510集会室(资料基因组工程研讨院)

日期: 2019年10月10日 9:30-10:30

约请人:王生浩

陈诉人简介秋本克洋,博士,于1979年在日本都门大学获博士学位,于1979年到1993年在索尼地方研讨院从事蓝光激光及发光二极管资料的研发,是蓝光激光器的研讨先驱(2003年“日本経済新聞社刊”出书册本《蓝光LED和激光器的先驱者》,书中位列了日本在发光二极管(LED)和激光器范畴出色的七位迷信家,此中有中村修二、赤崎勇、天野浩、秋本克洋等七位传授)。秋本传授于1993到筑波大学从事讲授及科研任务,1998年提升传授,2012至2014年担当筑波大学理学部部长,现任筑波大学特命传授。发布SCI收录文章205篇,著有半导体相干册本(章节)专著12本,取得美国受权专利8项,日本受权专利26项,任《Journal of Crystal Growth》期刊客座编辑、《Applied Surface Science》期刊参谋编委、《Japan Journal of Applied Physics》编辑委员。

陈诉简介稀土元素掺杂的半导体具有优秀的光学特性,故其在LED表现、上转换、下转换等范畴有很好的使用代价。本陈诉将引见铕(Eu)掺杂和铽(Tb)掺杂的氮化镓(GaN)的构造特性、光学功能和缺陷特性,并就基于稀土掺杂的LED器件发光特性睁开讨论。

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